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Philips Semiconductors Product specification
Rectifier diodes BYV72EW series
ultrafast, rugged
Fig.7. Maximum trr
at T
j
= 25 ?C; per diode
Fig.8. Maximum Irrm
at T
j
= 25 ?C; per diode
Fig.9. Typical and maximum forward characteristic
IF
= f(V
F); parameter Tj
Fig.10. Maximum Qs
at T
j
= 25 ?C; per diode
Fig.11. Transient thermal impedance; per diode;
Zth j-mb
= f(t
p).
1
1 10 100
10
trr / ns
1000
100
dIF/dt (A/us)
IF=1A
IF=20A
100
Qs / nC
10
1.01.0 10 100
-dIF/dt (A/us)
IF=20A10A
2A5A1A
10
1
0.1
0.01
Irrm / A
1
10 100
-dIF/dt (A/us)
IF=1A
IF=20A
T
t
0.0011us 10us 100us 1ms 10ms 100ms 1s 10s
0.01
0.1
1
10
Transient thermal impedance, Zth j-mb (K/W)
BYV42E
pulse width, tp (s)
D =
tp
T
tp
PD
0
0.5 1.5VF / V
1.0
50
IF / A
40
30
20
10
0
Tj = 150 C
Tj = 25 C
max
typ
October 1998 4 Rev 1.200
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